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sintoninstruments WCT120M技術(shù)參數(shù)

更新時(shí)間:2023-03-17   點(diǎn)擊次數(shù):1135次

 

美國(guó)Sinton WCT-120少子壽命測(cè)試儀器采用了 的測(cè)量和分析技術(shù),包括準(zhǔn)穩(wěn)定態(tài)光電導(dǎo)(QSSPC)測(cè)量方法??伸`敏地反映單、多晶硅片的重金屬污染及陷阱效應(yīng),表面復(fù)合效應(yīng)等缺陷情況。WCT在大于20%的超高效率太陽(yáng)能電池(HIT,MWT,EWT,PREL,等等)的研發(fā)和生產(chǎn)過(guò)程中是一種被廣泛選用的 檢測(cè)工具。這種QSSPC測(cè)量少子壽命的方法可以在電池生產(chǎn)的中間任意階段得到一個(gè)類似光照IV曲線的開路電壓曲線,可以結(jié)合最后的IV曲線對(duì)電池制作過(guò)程進(jìn)行數(shù)據(jù)監(jiān)控和參數(shù)優(yōu)化。主要應(yīng)用:分布監(jiān)控和優(yōu)化制造工藝其它應(yīng)用:· 檢測(cè)原始硅片的性能· 測(cè)試過(guò)程硅片的重金屬污染狀況· 評(píng)價(jià)表面鈍化和發(fā)射極擴(kuò)散摻雜的好壞· 用得到的類似IV的開壓曲線來(lái)評(píng)價(jià)生產(chǎn)過(guò)程中由生產(chǎn)環(huán)節(jié)造成的漏電。

常見問(wèn)題:美國(guó)Sinton WCT-120與WT-2000測(cè)少子壽命的差異?WCT用的是Quasi-Steady-State Photoconductance(QSSPC)準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)衰減法,而WT2000是微波光電導(dǎo)衰減法。WCT-120準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)法測(cè)少子壽命的原理?WCT用的是Quasi-Steady-State Photoconductance(QSSPC準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo))準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)衰減法(QSSPC)和微波光電導(dǎo)衰減法(MWPCD)的比較?QSSPC方法*于其他測(cè)試壽命方法的一個(gè)重要之處在于它能夠在大范圍光強(qiáng)變化區(qū)間內(nèi)對(duì)過(guò)剩載流子進(jìn)行絕對(duì)測(cè)量,同時(shí)可以結(jié)合 SRH模型,得出各種復(fù)合壽命,如體內(nèi)缺陷復(fù)合中心引起的少子復(fù)合壽命、表面復(fù)合速度等隨著載流子濃度的變化關(guān)系。

MWPCD方法測(cè)試的信號(hào)是一個(gè)微分信號(hào),而QSSPC方法能夠測(cè)試少子壽命的真實(shí)值,MWPCD在加偏置光的情況下,結(jié)合理論計(jì)算可以得出少子壽命隨著過(guò)剩載流子的變化曲線,而QSSPC直接就能夠測(cè)得過(guò)剩載流子濃度,因此可以直接得出少子壽命與過(guò)剩載流子濃度的關(guān)系曲線,并且得到PN結(jié)的暗飽和電流密度;MWPCD由于使用的脈沖激光的光斑可以做到幾個(gè)到十幾個(gè),甚至更小的尺寸,在照射過(guò)程中,只有這個(gè)尺寸范圍的區(qū)域才會(huì)被激發(fā)產(chǎn)生光生載流子,也就是得到的結(jié)果是局域區(qū)域的差額壽命值,這對(duì)于壽命分布不均勻的樣品來(lái)說(shuō),結(jié)果并不具備代表性。主要特點(diǎn):· 只要輕輕一點(diǎn)就能實(shí)現(xiàn)硅片的關(guān)鍵性能測(cè)試,包括表面電阻,少子壽命,陷阱密度,發(fā)射極飽和電流密度和隱含電壓。少子壽命測(cè)試儀 硅片少子壽命測(cè)試系統(tǒng) wct-120WCT-120+Suns-Voc 技術(shù)規(guī)格設(shè)備功能:硅片的少子壽命測(cè)試

少子壽命測(cè)試儀性能參數(shù):1. 測(cè)量原理:QSSPC(準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo));2. 少子壽命測(cè)量范圍:100 ns-10 ms;3. 測(cè)試模式:QSSPC,瞬態(tài),壽命歸一化分析;4. 電阻率測(cè)量范圍:3–600 (undoped) Ohms/sq5. 注入范圍:1013-1016cm-3;6. 感測(cè)器范圍:直徑40-mm;7. 測(cè)量樣品規(guī)格:標(biāo)準(zhǔn)直徑: 40–210 mm (或更小尺寸);8. 硅片厚度范圍:10–2000 μm;9. 外界環(huán)境溫度:20°C–25°C;10. 功率要求:測(cè)試儀: 40 W , 電腦控制器:200W ,光源:60W;11. 通用電源電壓:100–240 VAC 50/60 Hz;

 

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